GK18

设计目标:

近些年,市场对光学薄膜产品的牢固度、致密性,以及漂移等性能指标的要求越来越高,原有的K16K17离子源最大束流为320mA,已经显得不能满足部分工艺的要求,为此,我们设计了这款GK18离子源。设计目标为:原有K16K17离子源的外型尺寸不在增加,离子束流增加50%,在相同的条件供给下,离子源最大输出束流密度不小于原来的150%

经过一年多的设计、试验和反复改进,GK18现已完全实现设计目标,并于20231月份开始成功出货。

工作原理:

离子源由独立的放电室和双栅离子引出系统等组成,工作时,气体导入放电室内,并离化形成等离子体,离子通过鞘层进入双栅加速区汇聚成离子束被引出。该有能离子持续作用于基体表面或者膜层,达到清洁表面和改善膜层结构的效果。

 

产品作用:

1. 提高膜层结合力;

2. 提高膜层致密性;

3. 减小漂移;

4. 减小吸收

5. 刻蚀、溅射。

 

产品特点:

1. 离子能量高:最高可达600eV1200eV2000eV或更高;

2. 工作真空高:可在10-3Pa内工作,保证膜层品质;

3. 作用显著提高膜层致密性、牢固度折射率作用显著;

4. 使用便利:新型结构,解决了原来栅网和阳极拆卸、维护和安装繁琐的问题;

5. 性价比高: 相对RF离子源,该源价格、运行和维护成本非常低。

 

技术参数:


辅助型

刻蚀型

溅射型

离子能量

0--800 (eV)

0--1200(eV)

0--5000(eV)

离子束流

0--500 (mA)

0--500 (mA)

0--600 (mA)

适用箱体

Ø1100mmØ1500 mm

 

外型尺寸:image.png

 

产品图片:

image.png