设计目标:
近些年,市场对光学薄膜产品的牢固度、致密性,以及漂移等性能指标的要求越来越高,原有的K12和K13离子源最大束流为120mA,已经显得不能满足部分工艺的要求,为此,我们设计了这款GK14离子源。设计目标为:原有K12、K13离子源的外型尺寸不在增加,离子束流增加50%,在相同的条件供给下,离子源最大输出束流密度不小于原来的150%。
经过一年多的设计、试验和反复改进,GK14现已完全实现设计目标,并于2023年1月份开始成功出货。
工作原理:
离子源由独立的放电室和双栅离子引出系统等组成,工作时,气体导入放电室内,并离化形成等离子体,离子通过鞘层进入双栅加速区汇聚成离子束被引出。该有能离子持续作用于基体表面或者膜层,达到清洁表面和改善膜层结构的效果。
产品作用:
1. 提高膜层结合力;
2. 提高膜层致密性;
3. 减小漂移;
4. 减小吸收;
5. 刻蚀、溅射。
产品特点:
1. 离子能量高:最高可达600eV、1200eV、2000eV或更高;
2. 工作真空高:可在10-3Pa内工作,保证膜层品质;
3. 作用显著:提高膜层致密性、牢固度和折射率方面作用显著;
4. 使用便利:新型结构,解决了原来栅网和阳极拆卸、维护和安装繁琐的问题;同时优化了离子源控制器的结构,在功率增加的情况下,降低了控制器高度,节省了用户空间;
5. 性价比高: 相对RF离子源,该源价格、运行和维护成本非常低。
技术参数:
辅助型 | 刻蚀型 | 溅射型 | |
离子能量 | 0--600 (eV) | 0--1200(eV) | 0--5000(eV) |
离子束流 | 0--200 (mA) | 0--240 (mA) | 0--300 (mA) |
适用箱体 | Ø630mm~Ø1000 mm |
外型尺寸:
产品图片: